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濟南友田機械設備有限公司

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FACEL2 10v/230vAC傳感器

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產品型號

品       牌

廠商性質經銷商

所  在  地濟南市

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更新時間:2023-06-16 19:55:35瀏覽次數:484次

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材料 金屬 材料晶體結構 單晶
材料物理性質 導體 遲滯 1
防護等級 100 分辨率 1
靈敏度 1 漂移 1
輸出信號 其他 線性度 1
制作工藝 其他 種類 其他
重復性 1%F.S.
FACEL2 10v/230vAC傳感器
在高度發展的現代工業中,現代測試技術向數字化、信息化方向發展已成必然發展趨勢,而測試系統的前端是傳感器,它是整個測試系統的靈魂,被世界各國列為*技術,特別是近幾年快速發展的IC技術和計算機技術,為傳感器的發展提供了良好與可靠的科學技術基礎。使傳感器的發展日新月益,且數字化、多功能與智能化是現代傳感器發展的重要特征。

FACEL2 10v/230vAC傳感器

FACEL2 10v/230vAC傳感器

 濟南友田機械設備有限公司,主營各種進口工業機械設備及其配件,儀器儀表,實驗室器材,化學試劑。公司專注于進口歐美工業產品,各種工業配件,儀器小到工業用的螺絲,大到幾百公斤重的電機。公司現在美國,德國,意大利分別設有辦事處和庫房,采用就近采購原則,節省了采購成本,從而讓利于客戶,保證了產品的質量和貨期。

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V230/400"

baumer ITD21B14 10000 T NI KA2.5 S8 11061272 Baumer 11061272 ITD 21 B14 10000 T NI KA2,5 S 6 

Baumer Electric - 11061272 ITD 21 B14 10000 T NI KA2,5 S 6

baumer S675MMS58 10-30VDC

bonfiglioli W63-U-P90-B5 Bonfiglioli W63-U-P90-B5

Bonfiglioli W63U-10P90B5

EM-Technik 1A200MG4314PP G1/4" DN6/8 EM-TECHNIK 1A200MG4314PP G 1/4” d.6x8 PP

EM-Technik 1A200MG4314PP  DN06/08, G1/4"

RAUSCHER?STOECKLIN MACP-S4/200 400V-6H 20579 Rauscher & Stoecklin AG -20579 MCPA-S4/200 400V-6h 200A / 400V-6h 4pole

RAUSCHER?STOECKLIN FC-S4/200 400V-6H 11641 Rauscher & Stoecklin AG -11641 FC-S4/200 400V-6h 200A / 400V-6h 4pole

RAUSCHER?STOECKLIN 12122 Rauscher & Stoecklin AG -12122 End Cap

Rauscher & Stoecklin AG 20579 MCPA-S4/200 400V-6h 200A / 400V-6h 4-pole

Rauscher & Stoecklin AG 11641 FC-S4/200 400V-6h 200A / 400V-6h 4-pole

Rauscher & Stoecklin AG 12122  End Cap

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BEKA FKGGM-EP

WAM    MT 132SB02145 7.5KW 50HZ

HANNZ FB-2/18-S230 分流器 

hauhinco 2/2-way valve DN10 PN320 NC,230V AC,Nr:6243649 Hauhinco 6243649  2/2 way valve, DN10, PN320, NC, 230VAC

hauhinco 2/2-way valve DN10 PN320 N0,230V AC,Nr:6243657 Hauhinco 6243657 2/2 way valve, DN10, PN320, NO, 230VAC

hauhinco Non-return valve B-RV,DN10 PN320,Nr:6575757,

Baumer    ITD 21 B14 10000 T NI  KA2.5 S 6 M:11061272 Baumer Electric 11061272 ITD 21 B14 10000 T NI KA2,5 S 6

RIFOX WU1101-ZR DN25 RIFOX 101101G31025ZR + 2Q03ZRN1WRP WU-1101-ZR DN 25 + with Controll III as supply control

KOBOLD KSK-1500GK32S06-42Nm3/h

AXON 1000228 10-30VDC       

WATLOW    PM6C3EK-3AAAAAA  PM6C3EK-3AAAAAA 

CET s.r.l. LVV35  電壓電流表CET LVV 35 04 24V AC

CET s.r.l. LCM60 計數器CET LCM 60 20 24dc-220VAC

HANNZ FB-2/18-S230

Ropex WA 85-2 位移傳感器

KIEPE electric JMNC DC24VIP65 打滑檢測開關Vossloh Kiepe 93045365002 JMNC DC 24 V

DEUBLIN 1690-000-168 接頭   Deublin 1690-000-168 

SAB T521-029-387 溫度變送器SAB Kabel -T521-029-387 

WATLOW RMC1U5LAAACA1AA "溫控器Watlow RMC1U5LAAACA1AA (48 x 96, for DIN guide, without display,

MultiLoop at 4 channel s) "

emuge F315398.01 扭力螺母Emuge-Franken F315398.01

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IFSYS 101033 齒條 IFSYS 101033 

BAUMER LBFS-11111 EZ1593 液位開關Baumer Electric 11044625 LBFS-11111.0

TRELLEBORG P34/NBR-HS90 密封圈

在高度發展的現代工業中,現代測試技術向數字化、信息化方向發展已成必然發展趨勢,而測試系統的前端是傳感器,它是整個測試系統的靈魂,被世界各國列為*技術,特別是近幾年快速發展的IC技術和計算機技術,為傳感器的發展提供了良好與可靠的科學技術基礎。使傳感器的發展日新月益,且數字化、多功能與智能化是現代傳感器發展的重要特征。

 

發展趨勢

1.引入新技術發展新功能 [1] 

隨著人們對自然認識的深化,會不斷發現一些新的物理效應、化學效應、生物效應等。利用這些新的效應可開發出相應的新型傳感器,從而為提高傳感器性能和拓展傳感器的應用范圍提供新的可能。圖爾克市場技術部產品經理兼技術支持主管楊德友向記者表示,“目前傳感器界的大特點就是不斷引入新技術發展新功能。”如檢測金屬產品位置的電感式接近開關,它利用金屬物體接近能產生電磁場的振蕩感應頭時在被測金屬上形成的渦流效應來檢測金屬產品的位置。由于不同金屬渦流效應的效果不同,因此不同金屬的檢測距離是不一樣的,尤其是面對各類合金時,普通的電感式接近開關就顯得力不從心,這就要求生產廠商在提高產品功能上下功夫。由于電感式接近開關其內部結構是在鐵氧體磁芯上繞制線圈作為電感線圈,而鐵氧體磁芯自身的限制使得電感式傳感器不可能在已有的設計理念下發展,那么只能在技術上開發出可以替代鐵氧體線圈的產品來提高產品的性能。圖爾克公司的電感式接近開關就摒棄了鐵氧體磁芯,從而去掉了磁芯的限制。這樣在檢測不同金屬時可以通過電路調節提高產品的檢測距離,并且全金屬檢測距離無衰減,抗*力也有所提升。

2. 利用新材料發展新產品

傳感器材料是傳感器技術的重要基礎,隨著材料科學的進步,人們可制造出各種新型傳感器。例如用高分子聚合物薄膜制成溫度傳感器,光導纖維能制成壓力、流量、溫度、位移等多種傳感器,用陶瓷制成壓力傳感器。高分子聚合物能隨周圍環境的相對濕度大小成比例地吸附和釋放水分子。將高分子電介質做成電容器,測定電容容量的變化,即可得出相對濕度。利用這個原理制成的等離子聚合法聚苯乙烯薄膜溫度傳感器,具有測濕范圍寬、溫度范圍寬、響應速度快、尺寸小、可用于小空間測濕、溫度系數小等特點。陶瓷電容式壓力傳感器是一種無中介液的干式壓力傳感器。采用*的陶瓷技術,厚膜電子技術,其技術性能穩定,年漂移量的滿量程誤差不超過0.1%,溫漂小,抗過載更可達量程的數百倍。

光導纖維的應用是傳感材料的重大突破,光纖傳感器與傳統傳感器相比有許多特點:靈敏度高、結構簡單、體積小、耐腐蝕、電絕緣性好、光路可彎曲、便于實現遙測等。而光纖傳感器與集成光路技術的結合,加速了光纖傳感器技術的發展。將集成光路器件代替原有光學元件和無源光器件,光纖傳感器又具有了高帶寬、低信號處理電壓、可靠性高、成本低等特點。

測試方法

在工程振動測試領域中,測試手段與方法多種多樣,但是按各種參數的測量方法及測量過程的物理性質來分,可以分成三類。

機械式

將工程振動的參量轉換成機械信號,再經機械系統放大后,進行測量、記錄,常用的儀器有杠桿式測振儀和蓋格爾測振儀,它能測量的頻率較低,精度也較差。但在現場測試時較為簡單方便。

光電式傳感器photoelectric transducer,基于光電效應的傳感器,在受到可見光照射后即產生光電效應,將光信號轉換成電信號輸出。它除能測量光強之外,還能利用光線的透射、遮擋、反射、干涉等測量多種物理量,如尺寸、位移、速度、溫度等,因而是一種應用極廣泛的重要敏感器件。光電測量時不與被測對象直接接觸,光束的質量又近似為零,在測量中不存在摩擦和對被測對象幾乎不施加壓力。因此在許多應用場合,光電式傳感器比其他傳感器有明顯的*性。其缺點是在某些應用方面,光學器件和電子器件價格較貴,并且對測量的環境條件要求較高。

 

概述

編輯

光電式傳感器是將光通量轉換為電量的一種傳感器,光電式傳感器的基礎是光電轉換元件的光電效應。由于光電測量方法靈活多樣,可測參數眾多,具有非接觸,高精度,高可靠性和反應快等特點,使得光電傳感器在檢測和控制領域獲得了廣泛的應用。

類型

編輯

光電式傳感器有光電管、光電倍增管、光敏電阻、光電二極管和光電三極管、光電池、半導體色敏傳感器、光電閘流晶體管、熱釋電傳感器、光電耦合器件等光電元件。另外,光電式傳感器還可分為模擬式光電式傳感器和脈沖式光電式傳感器兩類。

應用

編輯

光電檢測方法具有精度高、反應快、非接觸等優點而且可測參數多。傳感器的結構簡單,形式靈活多樣,體積小。近年來,隨著光電技術的發展,光電式傳感器已成為系列產品其品種及產量日益增加。用戶可根據需要選用各種規格的產品它在機電控制、計算機、國防科技等方面。

光電效應

編輯

它是光照射到某些物質上,使該物質的導電特性發生變化的一種物理現象,可分為外光電效應和內光電效應和光生伏*應三類。外光電效應是指,在光線作用下物體內的電子逸出物體表面向外發射的物理現象。光子是以量子化“粒子”的形式對可見光波段內電磁波的描述。光子具有能量hv,h為普朗克常數,v為光頻。光子通量則相應于光強。外光電效應由愛因斯坦光電效應方程描述:

Ek =hν -W

其中,h表示普朗克常量,ν表示入射光的頻率)。當光子能量等于或大于逸出功時才能產生外光電效應。因此每一種物體都有一個對應于光電效應的光頻閾值,稱為紅限頻率。對于紅限頻率以上的入射光,外生光電流與光強成正比。內光電效應又分為光電導效應和光生伏*應兩類。光電導效應是指,半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低于禁帶寬度的光子的激發而躍遷到導帶,從而增加電導率的現象。能量對應于禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產生一定方向電動勢的現象。光生伏打效應又可分為勢壘效應(結光電效應)和側向光電效應。勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(或在PN結)中,電子受光子的激發脫離勢壘(或禁帶)的束縛而產生電子空穴對,在阻擋層內電場的作用下電子移向 N區外側,空穴移向 P區外側,形成光生電動勢。側向光電效應是當光電器件敏感面受光照不均勻時,受光激發而產生的電子空穴對的濃度也不均勻,電子向未被照射部分擴散,引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現象。

外光電效應

光子,光子能量;光電子

外光電效應是指在光線作用下,物體內的電子逸出物體表面向外發射的現象。

內光電效應

在光線作用下,物體的導電性能發生變化或產生光生電動勢的效應

光電導效應:光敏電阻、光敏二極管(晶體管)

光生伏*應:光電池

光敏電阻

編輯

無光照時,光敏電阻阻值很大,電路中電流很小;當光敏電阻受到一定波長范圍的光照時,它的阻值急劇減小,電路中電流迅速增大。

光敏管

編輯

1.光敏二極管

光敏二極管在電路中一般是處于反向工作狀態

暗電流、光電流(光照越強,光電流?)

2.光敏三極管

基極無引出線,集電極相對于發射極為正電壓

當光照射在集電結上時, 就會在結附近產生電子-空穴對, 從而形成光電流, 相當于三極管的基極電流。因此集電極電流是光生電流的β倍, 所以光敏晶體管有放大作用。

光電池

編輯

一個大面積的PN節,光照下產生的電子-空穴對向兩級擴散,形成與光照強度有關的電動勢。

耦合器件

編輯

1.光電耦合器

2.光電開關

CCD

編輯

結構:MOS電容器→光敏元或像素;MOS陣列→CCD器件

原理:如圖所示 [1]  :

分類

編輯

基于外光電效應的光電敏感器件有光電管和光電倍增管。基于光電導效應的有光敏電阻。基于勢壘效應的有光電二極管和光電三極管(見半導體光敏元件)。基于側向光電效應的有反轉光敏二極管。光電式傳感器還可按信號形式分為模擬式光電傳感器(見位移傳感器)和數字式光電傳感器(見轉速傳感器、光柵式傳感器、數字式傳感器)。光電式傳感器還有光纖傳感器、固體圖像傳感器等。

發展狀況

編輯

1839年A.E.貝可勒爾發現當光線落在浸沒于電介液中的兩個金屬電極上,它們之間就產生電勢,后來稱這種現象為光生伏*應。1873年W.史密斯和Ch.梅伊發現硒的光電導效應。1887年H.R.赫茲發現外光電效應。基于外光電效應的光電管和光電倍增管屬真空電子管或離子管器件,曾在50~60年代廣泛應用,直到目前仍在某些場合繼續使用。雖然早在1919年T.W.凱斯就已取得硫化光導探測器的權,但半導體光敏元件卻是在60年代以后隨著半導體技術的發展而開始迅速發展的。在此期間各種光電材料都得到了全面的研究和廣泛的應用。它們的結構有單晶和多晶薄膜的,也有非晶的,它們的成分有元素半導體的和化合物半導體的,也有多元混晶的。其中重要的兩種是硅和碲鎘汞。硅的原料豐富,工藝成熟,是制造從近紅外到紫外波段光電器件的優良材料。碲鎘汞是碲化汞和碲化鎘的混晶,是優良的紅外光敏材料。通過對光電效應和器件原理的研究已發展了多種光電器件(如光敏電阻、光電二極管、光電三極管、場效應光電管、雪崩光電二極管、電荷耦合器件等),適用于不同的場合。光電式傳感器的制造工藝也隨薄膜工藝、平面工藝和大規模集成電路技術的發展而達到很高的水平,并使產品的成本大為降低。被稱為新一代攝像器件的聚焦平面集成光敏陣列正在取代傳統的掃描攝像系統。光電式傳感器的發展方向是采用有機化學汽相沉積、分子束外延、單分子膜生長等新技術和異質結等新工藝。光電式傳感器的應用領域已擴大到紡織、造紙、印刷、醫療、環境保護等領域。在紅外探測、輻射測量、光纖通信,自動控制等傳統應用領域的研究也有新發展。例如,硅光電二極管自校準技術的提出為光輻射的測量提供了一種很有前途的新方法。

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