脈沖選擇器是一種電控光學開關(guān)，用于從快速脈沖序列中提取單個所需的多個脈沖。
大多數(shù)情況下，超短脈沖是由鎖模激光器產(chǎn)生的，以脈沖列的形式，脈沖重復(fù)速率在10MHz-10GHz量級。由于各種原因，通常需要從單個脈沖列中提取特定的脈沖，例如只允許特定脈沖通過而阻止其它的脈沖。這可以采用一個脈沖選擇器來實現(xiàn)，它是一個電子學控制的光學開關(guān)。
脈沖選擇器的原理
如下圖，脈沖激光經(jīng)過棱鏡分為兩束，經(jīng)過格蘭棱鏡后，以一定的偏振態(tài)入射EOM后，由于電致晶體產(chǎn)生電光效應(yīng)，使出射光發(fā)生偏轉(zhuǎn)，以合適偏振態(tài)透過棱鏡；另外一束光在探測器上產(chǎn)生電信號，電信號經(jīng)過調(diào)制器驅(qū)動處理、放大后，給EOM提供驅(qū)動提供參考信號，驅(qū)動根據(jù)參考信號輸出高壓脈沖信號，在調(diào)制器上產(chǎn)生電光效應(yīng)；
給晶體施加電壓，電場導致晶體中分子發(fā)生取向，呈現(xiàn)各向異性，產(chǎn)生雙折射，使尋常光與非尋常光折射率呈現(xiàn)差異，終表現(xiàn)光束偏轉(zhuǎn)。折射率變化與電壓呈線性關(guān)系的稱為普克爾效應(yīng)；而常用的非線性晶體KTP被用來做普克爾盒；
目前，普克爾盒常用晶體的半波電壓基本在1000V~1800V之間，但是比較通用的驅(qū)動芯片MOSFET耐壓值大多小于1000V，而MOSFET由于自身工藝導致開關(guān)頻率又做不快，通常在幾百KHz，而cmos晶體管的工作頻率可以達到幾十MHz，但是常見管子的耐壓值又比較低，只有700V左右；
一款優(yōu)秀的脈沖選擇系統(tǒng)對于晶體來說，需要考慮半波電壓、工作頻率、透過率等，但是目前大局限還是半波電壓稍高，給驅(qū)動設(shè)計帶來很高的要求。
脈沖選擇器的重要性質(zhì)
根據(jù)不同的應(yīng)用要求，需要用到脈沖選擇器一些不同的特性：
開關(guān)時間(尤其是入射脈沖重復(fù)速率高時)
開關(guān)的峰值重復(fù)速率
透射脈沖的能量損耗
抑制不需要脈沖的程度
光學帶寬(尤其是寬帶脈沖)
色散(尤其是寬帶脈沖，例如，長度小于100fs)
光學非線性(尤其是脈沖峰值功率很高)
開放孔徑的尺寸
外尺寸
對準靈敏度(接受角)
電子學驅(qū)動器的能力
脈沖選擇器的類型
大多數(shù)情況下，脈沖選擇器是電光調(diào)制器或者聲光調(diào)制器，與適合的電子學驅(qū)動器相結(jié)合。如果是電光調(diào)制器件，脈沖選擇器包括普克爾斯盒和一些偏振光學器件，例如薄膜偏振片；普克爾斯盒調(diào)控偏振態(tài)，偏振片則根據(jù)脈沖的偏振態(tài)可使其通過或阻止。
聲光脈沖選擇器的原理是施加短的射頻脈沖到聲光調(diào)制器上，將不需要的脈沖反射到別的方向上。反射的脈沖然后通過孔徑，而其它的脈沖則被阻止。
另一種情況下，調(diào)制器的速度都是由脈沖列中脈沖的時間間隔決定的(即，由脈沖源的脈沖重復(fù)速率決定)，而不是由脈沖長度決定。
脈沖選擇器的電子學驅(qū)動器需要滿足附加的條件。例如，它可以采用光電二極管中產(chǎn)生的信號，感知原始的脈沖列，從而將開關(guān)與入射脈沖合成。觸發(fā)信號可在任意時間輸入，電子學裝置會在適當?shù)臅r間作用在開關(guān)上使其后面的入射脈沖透過。
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